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什么是SiC MOSFET?

更新時間:2024-06-18      瀏覽次數:1122

SiC MOSFET是使用化合物半導體SiC(碳化硅)基板代替以往的Si基板的MOSFET。

它用作MOSFET(場效應晶體管的一種)的半導體襯底材料。MOSFET 用于開關以及放大器等應用。通過使用化合物半導體SiC作為材料的半導體基板,與以往的Si MOSFET相比,能夠降低施加電壓時的電阻值。

因此,關斷期間的開關損耗和電源運行期間的功率損耗可以保持在限度。這提高了半導體芯片的性能并降低了晶體管運行所需的冷卻能力,從而實現了更小的產品。

SiC MOSFET的應用

SiC MOSFET應用于繼電器、開關電源、圖像傳感器等多種半導體產品,如電力電子領域的電子器件。通過使用SiC MOSFET,可以減少關斷時的損耗,從而實現高速開關,因此常用于通信設備。

選擇SiC MOSFET時,需要考慮產品應用的工作條件,例如絕對最大額定值、電氣特性、封裝用途和尺寸。

SiC MOSFET原理

SiC MOSFET 可以實現在保持相同擊穿電壓的同時,以低導通電阻和低關斷損耗運行的 MOSFET 結構。該晶體管采用SiC襯底,與Si襯底相比,其物理特性約為3倍的帶隙能量和約10倍的擊穿電場強度,因此有源層可以做得更薄,這是有原因的。

SiC MOSFET 具有 p 型和 n 型半導體的堆疊結構。通常,n型半導體堆疊在p型半導體的頂部,并且n型半導體具有漏極和源極,并且氧化物絕緣層和柵極附著在n型半導體之間。另外,本體的硅片采用化合物半導體SiC(碳化硅)作為外延基板。

當向 MOSFET 的柵極施加正電壓時,電流在源極和漏極之間流動。此時,與僅使用Si的MOSFET相比,在硅晶圓中使用SiC的SiC MOSFET甚至可以在源極和漏極之間更高的電壓和電流下工作。通過提高半導體中的雜質濃度,可以減少損耗并實現小型化。


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